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| 產(chǎn)品類別 | 型號 | 產(chǎn)品描述 | 資料下載 |
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| SiC SBD | CGE1S12040 | 電壓1200V，電流40A，TO-247-3封裝，0反向回復(fù)特性，高頻、高可靠性。 |
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| SiC MOSFET | CGE1M120030 | 電壓1200V，導(dǎo)通電阻30mΩ，TO-247封裝，頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點。 |
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| SiC MOSFET | CGE1M120060 | 電壓1200V，導(dǎo)通電阻60mΩ，TO-247封裝，頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點。 |
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| 混合碳化硅功率模塊 | HHF300R12LE4N | 電壓1200V，電流300A，具有開關(guān)損耗低的優(yōu)點。 |
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| 混合碳化硅功率模塊 | HHF450R12LE4N | 電壓1200V，電流450A，具有開關(guān)損耗低的優(yōu)點。 |
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| 混合碳化硅功率模塊 | HHF600R12LE4N | 電壓1200V，電流600A，具有開關(guān)損耗低的優(yōu)點。 |
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| 全碳化硅功率模塊 | CHF300R12KC3 | 電壓1200V，電流300A，K型封裝，具有大功率、高頻率、高可靠性等優(yōu)點。 |
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| 全碳化硅功率模塊 | CHF300R12LC3 | 電壓1200V，電流300A，具有大功率、高頻率、高可靠性等優(yōu)點。 |
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| 全碳化硅功率模塊 | CHF600R12LC3 | 電壓1200V，電流600A，具有大功率、高頻率、高可靠性等優(yōu)點。 |
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| 其他化合物半導(dǎo)體 | GaSb | 是Ⅱ類超晶格非制冷中長波紅外探測器及焦平面陣列的關(guān)鍵材料，產(chǎn)品具有長壽命、輕量化、高靈敏度、高可靠性等優(yōu)點，可廣泛應(yīng)用在紅外激光器、紅外探測器、紅外傳感器、熱光伏電池等 |
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